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无线电电子学论文_基于0.18μm CMOS加固工艺的

来源:辐射研究与辐射工艺学报 【在线投稿】 栏目:期刊导读 时间:2021-09-18
作者:网站采编
关键词:
摘要:文章目录 1 引言 2 辐射加固方案 2.1 总剂量加固方案 2.2 单粒子效应加固方案 3 抗辐射单元库开发 3.1 单元库规格制定 3.2 单元逻辑及版图设计 3.3 单元特征化及布局布线文件抽取 3.4 单元
文章目录

1 引言

2 辐射加固方案

2.1 总剂量加固方案

2.2 单粒子效应加固方案

3 抗辐射单元库开发

3.1 单元库规格制定

3.2 单元逻辑及版图设计

3.3 单元特征化及布局布线文件抽取

3.4 单元库设计套件质量保证

3.5 硅验证

4 结论

文章摘要:抗辐射单元库是快速完成抗辐射数字电路设计的基础。基于0.18μm CMOS加固工艺总剂量及单粒子效应加固策略,从单元库规格制定、逻辑与版图设计、单元库特征参数提取及布局布线文件抽取、单元库设计套件质量保证到最终硅验证,完成了抗辐射单元库的全流程开发。抗辐射单元库在速度、面积、功耗及抗辐射性能4个方面表现出良好的均衡性,具有广泛的应用前景。

文章关键词:

论文DOI:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0817

论文分类号:TN432

文章来源:《辐射研究与辐射工艺学报》 网址: http://www.fsyjyfsgyxb.cn/qikandaodu/2021/0918/1100.html



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