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《炬丰科技-半导体工艺》在硅上生长的 InGaN 基激

来源:辐射研究与辐射工艺学报 【在线投稿】 栏目:综合新闻 时间:2021-07-10
作者:网站采编
关键词:
摘要:图书:《巨峰科技-半导体工艺》 文章:硅基InGaN基激光二极管腔镜晶圆制作 编号:JFSJ-21 -034 作者:巨峰科技 摘要: 硅(Si)带隙III-V直接生长半导体激光器非常适合与硅光子学进行单

图书:《巨峰科技-半导体工艺》

文章:硅基InGaN基激光二极管腔镜晶圆制作

编号:JFSJ-21 -034

作者:巨峰科技


摘要:

硅(Si)带隙III-V直接生长半导体激光器非常适合与硅光子学进行单片集成。制造具有法布里-珀罗腔的半导体激光器通常涉及面解理,但这与片上光子集成不兼容。蚀刻作为一种替代方法在制备腔镜方面具有很大的优势,而无需将晶片分解成条状。然而,干法蚀刻制备的氮化镓(GaN)侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤,这会导致光散射引起的镜面损失和表面非辐射复合引起的载流子注入损失。详细研究了干蚀刻形成的GaN侧壁表面的湿化学抛光工艺,以去除蚀刻损伤并平滑垂直侧壁。

图片中等 在TMAH溶液中化学抛光不同时间后GaN m面和a面侧壁的SEM图像。 (a) 六方纤锌矿结构的晶胞示意图。 (b) ICP干蚀刻后m面侧壁(中间部分)的鸟瞰图(倾斜20°)SEM图像。 (c,d) TMAH 湿法化学抛光 60 分钟后 m 面侧壁的鸟瞰图(倾斜 20°)和横截面图像。 (e,f) TMAH 湿法化学抛光 150 分钟后 m 面侧壁的鸟瞰图(倾角 20°)和横截面图像。 (g,h)TMAH(倾角20°)后a面侧壁鸟瞰图的SEM图像。湿化学抛光分别为 60 和 150 分钟。

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文章来源:《辐射研究与辐射工艺学报》 网址: http://www.fsyjyfsgyxb.cn/zonghexinwen/2021/0710/1027.html



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