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《炬丰科技-半导体工艺》KOH蚀刻对镓面极性n-G(2)
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摘要：结论 由于在标准氮化镓清洗方案中加入了氢氧化钾处理步骤，n-GaN表面的化学性质和Au/n-GaN接触的非辐射重组特性存在显著差异。在MBE和MOCVD生长的氮化镓
结论
由于在标准氮化镓清洗方案中加入了氢氧化钾处理步骤，n-GaN表面的化学性质和Au/n-GaN接触的非辐射重组特性存在显著差异。在MBE和MOCVD生长的氮化镓样品中，Au/n-GaN接触和非辐射重组的增加，部分原因是表面ga越来越差和表面受体密度的相应增加。而这种解释是持续的0.3eV转变Ga3d峰值的价带mbe增长氮化镓，没有相应的变化费米水平记录Ga3d峰值位置MOCVD-grond氮化镓应对氢氧化钾治疗在这种情况下使用。因此，建议对电子屏障高度的降低和非辐射重组活性的增加有第二个贡献，即N-H2表面含量的增加和相关的C含量的减少，这是对MBE-和MOCVD-生长的氢氧化钾处理的结果氮化镓。通过比较koh蚀刻和氯酸清洗表面与参考氯酸清洗表面，证明氢氧化钾处理改变了金属/正-氮化镓接触的电性能，这一过程不能仅仅归因于氧化层的去除。
文章来源：《辐射研究与辐射工艺学报》 网址: http://www.fsyjyfsgyxb.cn/zonghexinwen/2021/1014/1133.html