- · 《辐射研究与辐射工艺学[10/30]
- · 《辐射研究与辐射工艺学[10/30]
- · 《辐射研究与辐射工艺学[10/30]
- · 《辐射研究与辐射工艺学[10/30]
- · 《辐射研究与辐射工艺学[10/30]
- · 辐射研究与辐射工艺学报[10/30]
一、稿件要求： 1、稿件内容应该是与某一计算机类具体产品紧密相关的新闻评论、购买体验、性能详析等文章。要求稿件论点中立，论述详实，能够对读者的购买起到指导作用。文章体裁不限，字数不限。 2、稿件建议采用纯文本格式(*.txt)。如果是文本文件，请注明插图位置。插图应清晰可辨，可保存为*.jpg、*.gif格式。如使用word等编辑的文本，建议不要将图片直接嵌在word文件中，而将插图另存，并注明插图位置。 3、如果用电子邮件投稿，最好压缩后发送。 4、请使用中文的标点符号。例如句号为。而不是.。 5、来稿请注明作者署名(真实姓名、笔名)、详细地址、邮编、联系电话、E-mail地址等，以便联系。 6、我们保留对稿件的增删权。 7、我们对有一稿多投、剽窃或抄袭行为者，将保留追究由此引起的法律、经济责任的权利。 二、投稿方式： 1、 请使用电子邮件方式投递稿件。 2、 编译的稿件，请注明出处并附带原文。 3、 请按稿件内容投递到相关编辑信箱 三、稿件著作权： 1、 投稿人保证其向我方所投之作品是其本人或与他人合作创作之成果，或对所投作品拥有合法的著作权，无第三人对其作品提出可成立之权利主张。 2、 投稿人保证向我方所投之稿件，尚未在任何媒体上发表。 3、 投稿人保证其作品不含有违反宪法、法律及损害社会公共利益之内容。 4、 投稿人向我方所投之作品不得同时向第三方投送，即不允许一稿多投。若投稿人有违反该款约定的行为，则我方有权不向投稿人支付报酬。但我方在收到投稿人所投作品10日内未作出采用通知的除外。 5、 投稿人授予我方享有作品专有使用权的方式包括但不限于：通过网络向公众传播、复制、摘编、表演、播放、展览、发行、摄制电影、电视、录像制品、录制录音制品、制作数字化制品、改编、翻译、注释、编辑，以及出版、许可其他媒体、网站及单位转载、摘编、播放、录制、翻译、注释、编辑、改编、摄制。 6、 投稿人委托我方声明，未经我方许可，任何网站、媒体、组织不得转载、摘编其作品。
《炬丰科技-半导体工艺》 退火的 Ni Al DUV LED p 电
作者:网站采编关键词:
摘要：书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：退火的 Ni Al DUV LED p 电极 编号：JFKJ-21-1166 作者：华林科纳 ? ?利用反射性镍/铝(Ni/Al)电极代替传统的镍/金(Ni/Au)，提高了277纳米波长深紫外(DUV)发光
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：退火的 Ni Al DUV LED p 电极
编号：JFKJ-21-1166
作者：华林科纳
?
?利用反射性镍/铝(Ni/Al)电极代替传统的镍/金(Ni/Au)，提高了277纳米波长深紫外(DUV)发光二极管（LEDs)的性能。目前正在寻找发射波长小于280nm的DUVled作为紧凑、环保的替代品，用于水/表面消毒和生物制剂检测。目前，能源效率和电力输出都较低，阻碍了这一发展。
与基于iii-氮化物半导体如氮化铝镓(AlGaN)的长波长led相比，许多效应导致其效率较低。迄今为止，最好的275nmLED达到了20%的外部量子效率(EQE)。在这种情况下，由于照明效率低，超过一半的电力损失了。反射型p电极可以使从设备的蓝宝石侧提取更多的光。由于蓝宝石是紫外透明的，而显然是不可避免的，因此明显的p-GaN接触层更受青睐吸收波长短于~3.4eV带隙，对应于波长~365nm。通过电子束蒸发沉积镍/铝电极，然后进行快速热退火(RTA)。Ni和铝的厚度分别为5nm和300n。将Ni/Al应用于用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石上生长的AlGaN和DUV材料。采用钛/铝/镍金（钛/铝/Ni/Au）接触介质反应离子蚀刻暴露的n型层。
Ni/Al(或常规未退火的Ni/Au)在800°C退火1分钟后，沉积Ni/Aup型电极。DUV结构的p-接触层由100nmp-AlGaN和10nmp+-GaN组成。最后一层的重掺杂改善了与Ni/Al电极的欧姆接触。最后的氮化镓层被设计为较薄的，因为它是高度吸收DUV辐射。并不认为这一层会危及透明度，因为它太薄了。
为了优化在277nm波长下的反射率和接触电阻，该团队进行了一系列的实验。通过将双面抛光蓝宝石上沉积，并在600°温度下快速热退火10分钟，优化了反射率。退火是必要的，因为Ni强烈吸收DUV辐射。
?反射性最强的层在600°C下退火10分钟。镍在退火过程中凝聚，允许一些铝与蓝宝石衬底进行部分接触。原子力显微镜和其他研究似乎也支持这一建议（图1）。图1(a)前和(b)RTA后蓝宝石上Ni/A表面形态；相同热处理下单铝层(c)表面形态；(d)前后DUV-LED上的扫描电镜(SEM)图像；(f)SEM场镍成分分布的能色谱图；(g)Ni团簇形成示意图。认为不可能超过600°C，因为Al融化了~660°C，这可能会导致不必要的表面粗糙化和/或扩散效应。
600°C，10分钟层的277nm的反射率为78.1%（比沉积层增加了63%）。然而，与p型iii-氮化物层接触的铝的存在确实导致了与欧姆接触行为的一些偏差。由于这些材料的功函数不匹配，Al倾向于与p-GaN形成肖特基势垒。为了获得镍/铝反射电极，必须在DUV-LED的电性能和光学性能之间取得平衡，以获得最佳的器件性能。
所制备的led产生约277nm，而与Ni/Aup接触的比较装置在280nm（图2）。图2 20mA注入镍/铝电极反射和常规Ni/Au电极的DUV-LED的(a)EL光谱；(b)集成不同电流密度下的EL强度；(c)EQE曲线。退火后的Ni/AL的集成电致发光(EL)比Ni/AuLED增加了28%。未退火的Ni/Al强度比Ni/Au高14%。在EQE方面，退火后的Ni/AlLED的峰值达到3.03%(比Ni/Au器件高44%)。将增强的EQE归因于光提取效率的提高，因为使用相同的外延结构应该会使所有器件的内部量子效率相同。
文章来源：《辐射研究与辐射工艺学报》 网址: http://www.fsyjyfsgyxb.cn/zonghexinwen/2022/0101/1310.html